近年電気自動車をはじめ注目を集めているパワーエレクトロ二クス半導体の、次世代素材として二酸化ゲルマニウム（GeO2）のご紹介となります。新素材に求められる要素としては、①低コスト②大きなバンドギャップ（4.6eV）③PN両伝導体（半導体）の存在がありますが、現時点でこれら３要素を有しているのは、このGeO2のみです。非常に蒸発し易い結晶で、エピ膜の成膜が非常に難しいのですが、弊社が開発したファントム局所的気相成長法により、世界で初めてエピ膜の成膜に成功しました。これにより、デバイス化の研究・開発に着手致しました。